MOVPE-GaN上にフラックス法で成長させたGaNの微細構造·光学的特性およびその上にMOVPEで成長させたGaNの微細構造·光学的特性

摘要

LPE法により、Naをフラックスとして用いて成長させたGaNおよび、その上にMOVPE法で成長させたGaNの微細構造および光学的特性の評価を行った。その結果、LPE法GaNは非常に低転位であり、かつPL 特性が優れていることを確認した。