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康俊勇;
中国物理学会中国稀土学会;
外延层缺陷;
机译:邻近切开的衬底对非极性a-GaN外延层中基础堆叠缺陷密度的影响
机译:铟表面活性剂对金属有机化学气相沉积生长GaN外延层中V缺陷形成应力松弛的影响
机译:金属有机气相外延法在(001)GaAs衬底上生长具有AlGaN / GaN超晶格下层的立方GaN外延层中的缺陷密度降低
机译:横向生长对GaN外延层光学性质的影响
机译:热,应变和中子辐照对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管和GaN肖特基二极管中缺陷形成的影响
机译:接近无应变的GaN兼容缓冲层上GaN外延层中的超低穿线位错密度及其在异质外延LED中的应用
机译:应力及其对si(111),6H-siC(0001)和c面蓝宝石上生长的GaN外延层光学性质的影响
机译:缺陷对GaN纳米线电输运,光学性质和失效机理的影响
机译:GaN晶体,GaN晶体衬底,GaN晶体衬底和具有外延层的半导体器件的表面处理方法,以及GaN晶体衬底和具有外延层的半导体器件的制造方法
机译:用于制造GaN基外延层的单晶衬底,制造该外延层的方法,包括该GaN基外延层的LED和LD
机译:用于制造基于gan的外延层的单晶衬底,制造该方法的方法,包括基于gan的外延层的LED和LD
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