氮化硼薄膜内应力的红外光谱研究

摘要

用射频(RF)磁控溅射制备了立方氮化硼(c-BN)薄膜.FTIR光谱和电子衍射实验表明:该薄膜是纯的,其结晶度很高.FTIR光谱研究指出,基板负偏压是c-BN相形成的重要因素,但也由此产生了c-BN薄膜的应力,且负偏压越高,产生的应力越大.比较透射谱和反射谱的结果,c-BN薄膜表面层的应力小于内部的.按照c-BN形成的压力模型,表面应力小到一定程度可能影响c-BN的继续生长.一个特制的分层结构BN薄膜保留了由于应力造成的c-BN的裂纹,这个裂纹分布在一些同心圆上,中心是缺陷或杂质,同心圆之间有明显的分界线,把c-BN表层分割成许多应力区.