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一种六方氮化硼薄膜的制备方法及六方氮化硼薄膜

摘要

本发明公开了一种六方氮化硼薄膜的制备方法及六方氮化硼薄膜,该方法包括:步骤1:对金属箔衬底进行预处理;步骤2:将多片预处理后的金属箔衬底与基片形成限域生长结构;步骤3:将步骤2得到的限域生长结构置于气相沉积腔室中,同时将六方氮化硼前驱体置于该气相沉积腔室中;步骤4:向气相沉积腔室通入载气,在金属箔衬底上高温沉积单层六方氮化硼薄膜。本发明提供的制备方法利用多片金属箔衬底和基片形成限域生长结构,能够实现一次性大规模批量制备多片单层六方氮化硼薄膜,产率较高,易于应用到需求量较大实际工业生产当中。

著录项

  • 公开/公告号CN113106417A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-07-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安电子科技大学;

    申请/专利号CN202110342332.8

  • 发明设计人 王浩林;

    申请日2021-03-30

  • 分类号C23C16/34(20060101);C23C16/44(20060101);

  • 代理机构61230 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人刘长春

  • 地址 710000 陕西省西安市雁塔区太白南路2号

  • 入库时间 2023-06-19 11:50:46

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-10-27

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C23C16/34 专利申请号:2021103423328 申请公布日:20210713

    发明专利申请公布后的驳回

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