二维六方氮化硼薄膜的制备及光电特性研究

摘要

cqvip:以六方氮化硼(h-BN)粉末为原料,氩气为携载气体,利用热蒸发沉积法在硅衬底上制备了h-BN二维薄膜。应用原子力显微镜观察了薄膜的表面形貌,发现该方法生长的膜均匀而光滑,其厚度为4 nm,对应十几层的h-BN。利用X射线衍射分析了h-BN薄膜的结构,发现h-BN薄膜主要由(002)晶面排列构成,说明其生长方式为典型的层状生长模式。利用紫外可见光光谱仪测量了其吸收特性,发现该样品在209 nm附近有很强的吸收。最后,研究了h-BN/Si异质结的接触特性和电子输运特性,发现该异质结具有良好的整流特性,在光照下该异质结的光电流显著增大,表明h-BN薄膜具有良好的光电学特性,可用来制备超薄光电子器件。