硫化钨薄膜的制备及光电特性研究

摘要

以硫化钨(WS2)饱和溶液为原料，氩气为输运气体，采用化学气相沉积法(CVD)在硅衬底上制备了大面积均匀的硫化钨薄膜。利用X射线衍射和原子力显微镜分析了薄膜的晶体结构及表面形貌，发现该方法生长的WS2薄膜结晶性良好，表面大面积均匀。并利用分光光度计测量了薄膜的光吸收特性，研究发现样品在737 nm附近有很强的光吸收。最后，研究了硫化钨薄膜与硅衬底形成的WS2/Si异质结的I-V特性曲线，发现该异质结器件具有良好的伏安特性；另外，光照下，该异质结在可见光区具有显著的光伏效应，说明可用于制备新型硫化钨二维光电子器件。