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刘贵明;
上海先进半导体有限公司 上海200233;
集成电路制造; 外延厚度; DCS气体流量; 气体压力; TCS传输方式; TCS气体流量;
机译:研究硅厚度对绝缘体上超薄硅作为砷化镓异质外延生长的顺应性衬底的影响
机译:铝厚度对磁控溅射硅上锗外延一步法铝辅助结晶的影响
机译:分子束外延从升华源生长的硅层的厚度均匀性
机译:硅外延膜局部厚度分布的形成机理
机译:氢/硅(001)上低温硅外延和硅(111)-7x7上磷化氢吸附的扫描隧道显微镜研究。
机译:(001)硅上外延金刚石-六角形硅纳米带的生长
机译:用于开发和表征光伏硅的等离子体工艺的开发:通过PECVD沉积硅的外延薄层:通过LIBS测量固态(20°C)和液态(1414°C)的硅的纯度
机译:外延硅铸造晶圆的外延剥离技术
机译:双极晶体管包括用于高频操作的硅层,第一类型的硅外延层,硅锗外延层和第二类型的硅外延层
机译:单晶硅的制造方法,单晶硅,硅晶片的制造方法,硅外延晶片的制造方法,以及硅外延晶片
机译:PMOS和NMOS晶体管的形成方法,涉及在蚀刻的部分中实现硅锗层的外延,其中衬底的蚀刻深度和层的厚度使得可以调节晶体管的栅极的表面水平。
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