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唐有青; 谭卫东; 马利行; 杨帆; 张文清;
南京国盛电子公司,南京,210038;
FTIR; 硅外延片; 中间层; 电阻率; 厚度;
机译:通过中型生长在硅上实现无裂纹的GaAs外延:应用于基于硅的波长选择光电探测器通过中型生长在硅上实现无裂纹的GaAs外延:在基于Si的波长选择光电探测器上
机译:评估嵌入式多孔硅层对外延层的整体寿命以及外延层/多孔硅界面处界面复合的影响
机译:铂厚度对外延Fe / Pt双层结构和磁性的影响
机译:氟对砷掺杂无定形硅和多晶硅外延再生和氯对砷掺杂多晶硅外延再生的影响
机译:氢/硅(001)上低温硅外延和硅(111)-7x7上磷化氢吸附的扫描隧道显微镜研究。
机译:(001)硅上外延金刚石-六角形硅纳米带的生长
机译:用于开发和表征光伏硅的等离子体工艺的开发:通过PECVD沉积硅的外延薄层:通过LIBS测量固态(20°C)和液态(1414°C)的硅的纯度
机译:外延硅铸造晶圆的外延剥离技术
机译:直接硅外延厚度测量的系统和方法
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