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张志勤; 李胜华; 张秀丽;
中国电子科技集团公司第十三研究所;
扩展电阻; 硅外延; 厚度误差; 过渡区;
机译:Van der WAALS具有厚度可调磁秩序的空气稳定CRSE_2纳米片的外延生长
机译:云母基底上具有单晶胞厚度的超薄α-MoO_3片的范德华外延
机译:显微厚度的切片厚度评估技术和核切片图像分析技术
机译:使用扩展电阻分布分析分析外延层掺杂剂分布的库设置
机译:分子束外延技术用于锗纳米异质外延生长和高迁移率器件的应用。
机译:分子束外延模型混合有限元方法的误差分析
机译:化学气相沉积技术对III-V外延薄膜生长的比较分析
机译:具有外延缓冲区和外延覆盖区域的外延翅片结构
机译:外延片,制造外延片的方法,二极管和电流整流器
机译:SiC基体评估方法,SiC外延片制造方法和SiC外延片
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