关于改善硅外延片电阻率和厚度一致性的探究

摘要

当今世界,伴随着互联网的发展,我国的电子信息行业迎来了春天,目前,互联网技术已经深入生活,无处不在.在这个信息化的时代,微电子产业已然成为了我国的支柱产业.应用于我国各个行业与领域中.而半导体材料是生产集成电路中极其重要的材料.近年来,硅这一半导体材料得到了极大的应用.其中硅外延是极好的一种材料.硅外延是在处于高温的条件下,由于气相化学反应的作用,在抛光的硅单晶片上生长出来的一层或者多层硅单晶薄膜.而硅外延片电阻率,厚度等作为硅外延片的重要特征参数,影响着生产出来的器件的好坏.而这两个参数会因为其控制生长的条件的差异而产生差异.因此,如何有效地改善硅外延片的电阻率和厚度,来以此满足器件研制的要求,是相关人员不得不面临和解决的重要问题.