国内氧化铟锡靶材厂商的机遇与挑战

摘要

cqvip:氧化铟锡(Indium Tin Oxide,ITO)靶材,是一种N型半导体材料。利用铟掺锡和形成氧空位,形成1020~1021/cm3的载流子浓度和10~30(cm3/vs)的迁移率,这个机理提供了在10-4(Ω·cm)数量级的低薄膜电阻率,所以ITO薄膜具有半导体的导电性能[1]。借助其优异的透明导电性能、透明性及良好的加工性能,ITO导电膜得到高速发展和广泛的应用。