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Comment on “Influence of indium-tin-oxide thin-film quality on reverse leakage current of indium-tin-oxide/n-GaN Schottky contacts” Appl. Phys. Lett. 89, 033503 (2006)

机译：浅谈“氧化铟锡薄膜质量对铟锡氧化铟锡/ N-GaN肖氏触点”Appl。物理。吧。 89,033503（2006）

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Yow-Jon Lin; Chia-Lung Tsai; Day-Shan Liu;
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年度 2007
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