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张晋新; 王信; 郭红霞; 冯娟; 吕玲; 李培; 闫允一; 吴宪祥; 王辉;
西安电子科技大学空间科学与技术学院;
中国科学院新疆理化技术研究所;
西北核技术研究院;
西安交通大学核科学与技术学院;
锗硅异质结双极晶体管; 总剂量效应; 三维数值模拟;
机译:发射极和集电极宽度对硅锗(SiGe)异质结双极晶体管(HBT)性能的影响的仿真
机译:硅锗异质结双极晶体管(HBT)的核微束研究
机译:硅锗异质结双极晶体管(HBT)的离子束感应电荷(IBIC)研究
机译:Silvaco / Atlas中的硅锗异质结双极晶体管(HBT)的数值模拟以及对HBT基极传输时间的分析以实现更快的操作
机译:用于高性能集成电路的硅锗化物基异质结双极晶体管的建模,仿真和设计。
机译:堆叠式硅锗系统减少多针孔SPECT中的多工伪像:仿真研究
机译:硅锗异质结双极晶体管的垂直剖面工程和可靠性研究
机译:硅锗(siGe)异质结双极晶体管(HBT)在移动技术平台中的作用
机译:硅锗基极和具有硅锗基极的异质结双极晶体管
机译:防辐射的三维单元MOSFET克服了单事件效应和总电离剂量效应
机译:硬化的三维MOSFET结构的总电离剂量效应和单事件效应
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