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锗硅异质结双极晶体管总剂量效应缺陷分布实验分析方法

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本发明公开了锗硅异质结双极晶体管总剂量效应缺陷分布实验分析方法。包括：对多个待测晶体管进行初始电学特性测试；多个待测晶体管组成多个待测晶体管组；每个待测晶体管组包括第一子待测晶体管组和第二子待测晶体管组；对多个待测晶体管组分别设定不同的偏置电压；选择第一和第二剂量率分别对设定于不同偏置电压的第一子待测晶体管组和第二子待测晶体管组进行n次

著录项

公开/公告号CN110927553A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-03-27

原文格式PDF
申请/专利权人西安电子科技大学;
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申请/专利号CN201911284061.4
发明设计人张晋新;郭红霞;郭旗;付军;王玉东;吴宪祥;王辉;孙静;
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申请日2019-12-13
分类号
代理机构北京品源专利代理有限公司;
代理人孟金喆
地址 710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号
入库时间 2023-12-17 07:25:54

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-04-21

实质审查的生效 IPC(主分类):G01R31/26 申请日:20191213

实质审查的生效
2020-03-27

公开

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