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谢自力;
南京电子器件研究所;
应变层; 异质结; 硅销基区; 双极晶体管;
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机译:硅局部氧化中的激光诱导单事件瞬态和深沟槽隔离硅锗异质结双极晶体管
机译:具有饱和效应的绝缘体上硅薄硅锗异质结双极晶体管的器件模型
机译:外延基硅锗锗异质结双极晶体管的静电放电特性
机译:硅/硅(1-y)碳(y)和硅/硅(1-x-y)锗(x)碳(y)异质结构的能带工程及其在PNP异质结双极晶体管(碳化硅,碳化硅锗)中的应用。
机译:硅和锗对硅和锗的肖特基势垒高度的面依赖性
机译:锗在锗注入制备的siGe异质结双极晶体管多晶硅发射极中的扩散
机译:硅锗(siGe)异质结双极晶体管(HBT)在移动技术平台中的作用
机译:锗缩合在同一衬底上固定不同锗的硅锗基区的制备方法;
机译:硅锗基极和具有硅锗基极的异质结双极晶体管
机译:具有自对准硅锗锗外基的异质结双极晶体管的结构和方法
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