法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-05-07
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/737 授权公告日:20150415 终止日期:20180522 申请日:20120522
专利权的终止
2015-04-15
授权
授权
2015-04-15
授权
授权
2013-01-16
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/737 申请日:20120522
实质审查的生效
2013-01-16
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/737 申请日:20120522
实质审查的生效
2012-11-21
公开
公开
2012-11-21
公开
公开
查看全部
机译: 具有自对准硅锗锗外基的异质结双极晶体管的结构和方法
机译: 锗缩合在同一衬底上固定不同锗的硅锗基区的制备方法;
机译: 使用二氧化硅回蚀的自对准非选择性薄外延薄锗基硅锗(SiGe)异质结双极晶体管BicMOS工艺