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赵文静; 丁梦光; 杨晓丽; 胡海云;
北京理工大学物理学院 北京 100081;
栅氧化层; 经时击穿; 非平衡统计理论; 累积失效率;
机译:内置自检功能,用于嵌入式DRAM中的偏置温度不稳定性,热载流子注入和栅氧化层击穿
机译:陷阱电荷引起的栅氧化层击穿
机译:动态CMOS逻辑对软栅氧化层击穿的潜在漏洞
机译:PID引起的栅氧化层击穿的失效分析方法
机译:研究栅极氧化层击穿和热电子对CMOS电路性能的影响。
机译:气相冷凝相和界面处非平衡和非统计动力学的理论和计算研究
机译:自动插入双门以提高栅氧化层击穿的可靠性
机译:Hrtem图像模拟栅氧化层中的结构缺陷。
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机译:使用单个晶体管并具有可变栅氧化层击穿的高密度半导体存储单元和存储阵列
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