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刘志宏; 陈蒲生;
不详;
热氮化; SiO2; 薄膜; 击穿;
机译:NH / sub 3 /氮化对重氧氮化隧道氧化物膜的时变介电击穿特性的影响
机译:氮化铝膜的介电击穿特性
机译:化学气相沉积和快速热氮化的分层工艺制备的氧氮化铝叠层栅介质的电学特性
机译:一氧化氮中生长的氧氮化物介电膜的特征:快速热氧氮化的氧混合物
机译:氮化硅膜中的热传输和新型材料的远红外研究。
机译:酸性水电化学环境中Si / SiO2阴极的介电击穿和击穿后溶解
机译:慢斜坡电压技术研究等离子体氮化SiO2薄膜的击穿电压分布。
机译:具有快速生长的超薄siO2栅极绝缘体的mOs(金属氧化物半导体)器件的界面和击穿特性。
机译:氮化铝膜,制造氮化铝膜的方法以及高击穿电压组件
机译:利用快速热氮化制造用于低泄漏高电容膜的堆叠层Si.sub.3 N.sub.4的方法
机译:门绝缘膜的电击穿寿命的评估方法,门绝缘膜的电击穿寿命的评估装置以及用于门绝缘膜的电击穿寿命的评估程序
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