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麦振洪; 葛培文; 何杰; 崔树范; 贺楚光; 马碧春; 陈坚邦; 王永鸿;
不详;
砷化镓; 单晶; 位错; X射线; 形貌术;
机译:使用X射线形貌和对等空间映射测量的lnGaAs / GaAs(001)接口中的错配位错各向异性
机译:单色X射线形貌观察到的InGaAs / GaAs(001)界面错配位错的分布
机译:在多梁衍射条件下使用亮场同步X射线形貌的ALN单晶位错研究
机译:水热生长ZnO单晶衬底上的位错的放牧入射X射线形貌研究
机译:使用同步加速器白束X射线形貌研究CdZnTe和InP单晶中的缺陷生成。
机译:纳米压痕法研究LiTaO3单晶的室温蠕变行为和位错成核的活化体积
机译:X射线形貌观察Si掺杂GaAs晶体中二维缺陷的位错爬升
机译:面向“单滑”的单晶BCC金属中异常滑移的动态位错机制
机译:晶体缺陷的X射线形貌测定法所具有的位错线是面内单晶样品
机译:垂直温度梯度减小GAAS单晶位错的方法
机译:垂直温度梯度降低法减少GaAs单晶生长中的位错
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