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在微重力下生长的GaAs：Si单晶结构缺陷的X射线研究

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本文对空间生长ＧａＡＳ：Ｓｉ单晶，沿着生长方向用Ｘ射线形貌和双晶衍射方法进行了研究，Ｘ射线形貌观测到了在空间生长区域有一个扇形高完整区．双晶衍射表明，在这个扇形区回摆曲线最窄、强度较高．

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来源
《半导体学报》 |1995年第3期|167-169|共3页
作者
蒋四南; 林兰英;
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作者单位

中国科学院半导体研究所;

中国科学院半导体材料科学实验室;

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正文语种 chi
中图分类杂质和缺陷;
关键词
砷化镓:硅; 单晶生长; 结构缺陷; X射线; 微重力; 半导体材料;

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