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GaAs单晶的制造方法和GaAs单晶晶片

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摘要

提供了一种具有高载体浓度和结晶度的GaAs单晶的制造方法和一种GaAs单晶晶片。本发明为GaAs单晶的制造方法，其特征在于，在坩埚(4)中容纳晶种(10)、Si材料(12)、作为杂质的GaAs材料(14)、固体二氧化硅(16)和氧化硼材料(18)的状态下进行立式舟法，并生长GaAs单晶(20)。

1. GaAs单晶的制造方法和GaAs单晶晶片 [P] . 中国专利： CN103703172B . 2016.08.31
2. GaAs材料单晶层的制造方法和外延生长GaAs材料单晶层的衬底 [P] . 中国专利： CN111954730A . 2020-11-17
3. Si-DOPED GaAs SINGLE CRYSTAL INGOT AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME, AND Si-DOPED GaAs SINGLE CRYSTAL WAFER PRODUCED FROM SAID Si-DOPED GaAs SINGLE CRYSTAL INGOT [P] . 世界知识产权组织专利： WO2006106644A1 . 2006-10-12

机译：掺Si的GaAs单晶晶片及其制备方法，以及由所述掺Si的GaAs单晶晶片生产的掺Si的GaAs单晶晶片
4. Si-doped GaAs single crystal ingot and process for producing the same, and Si-doped GaAs single crystal wafer produced from Si-doped GaAs single crystal ingot [P] . 美国专利： US8986446B2 . 2015-03-24

机译：掺Si的GaAs单晶锭及其制造方法，以及由掺Si的GaAs单晶锭制成的掺Si的GaAs单晶晶片
5. Si doped GaAs single crystal ingot and its manufacturing method, and Si doped GaAs single crystal wafer fabricated from Si doped GaAs single crystal ingot [P] . 日本专利： JP5216123B2 . 2013-06-19

机译： Si掺杂GaAs单晶锭及其制造方法，以及由Si掺杂GaAs单晶锭制成的Si掺杂GaAs单晶晶片