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降低半绝缘GaAs单晶片亮点缺陷的热处理工艺研究

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摘要

GaAs单晶材料已成为一种重要的微电子和光电子基础材料,应用广泛.为了降低半绝缘砷化镓单晶片表面的亮点缺陷,对砷化镓晶片在不同温度和不同砷蒸汽压条件下进行了热处理,研究了热处理对砷化镓中砷的存在形式转换的影响及其机理.

著录项

来源
《天津科技》|2016年第2期|19-21|共3页
作者
杨艺; 周春锋; 兰天平;
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作者单位

中国电子科技集团公司第四十六研究所天津300220;

中国电子科技集团公司第四十六研究所天津300220;

中国电子科技集团公司第四十六研究所天津300220;

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正文语种 chi
中图分类工作方法;
关键词
GaAs单晶片; 热处理; 亮点缺陷; EL2;

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