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杨瑞霞; 张富强; 陈诺夫;
河北工业大学电信学院;
中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室;
半绝缘砷化镓; 本征受主缺陷; 砷间隙扩散; 砷压; 热处理;
机译:Co掺杂非晶碳与GaAs之间的接触和光电导特性:n型低电阻率和半绝缘高电阻率GaAs
机译:非掺杂半绝缘LEC GaAs复合材料的亚带隙光电流响应和载流子传输特性
机译:非化学计量法对未掺杂半绝缘Gaas晶体中位错的重组活性的影响
机译:非掺杂半绝缘GaAs晶体中缺陷的TEM研究
机译:本征和非本征点缺陷对外延单晶铜-铟(1-x)-镓(x)-二硒化物的影响。
机译:导带非共抛物对GaAs / Ga1-xAlxAs双半V形量子阱中非线性光学性质的影响
机译:晶体生长的半绝缘和重掺杂GaAs晶体中与缺陷相关的载流子传输特性
机译:Gaas中si掺杂的n掺杂 - 本征-p-掺杂 - 本征(nipi)结构的电子特性。
机译:砷化镓产品的制造方法,装置以及半绝缘半绝缘GaAs单晶和半绝缘GaAs单晶
机译:具有半绝缘特性的GaAs单晶的生长方法
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