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卢武星; 钱亚宏; 田人和; 王忠烈;
不详;
B+; 离子注入; Si; 缺陷; 退火;
机译:离子束缺陷工程-离子注入硅中二次缺陷的控制
机译:通过将高能(53 MeV)氩离子注入n型外延膜中形成的半绝缘4H-SiC层
机译:MeV离子注入n型外延Si中突出点缺陷的形成和退火行为
机译:硅,镁和碳离子注入的Gan外延层在SIMS深度分析中二次离子产率的确定
机译:通过金属蒸气真空电弧(MEVVA)离子注入制备的FeSi(2)薄膜和沉淀物的形成和表征。
机译:motheaten(me / me)和存活的motheaten(mev / mev)突变小鼠的骨髓中有缺陷的淋巴细胞生成。三正常小鼠骨髓细胞可使mev / mev原胸细胞在静脉内转移后产生胸腺细胞
机译:高能量(100 meV)28si和120sn离子注入Gaas的电学特性
机译:使用X射线微束深度分析meV离子注入诱导的si11缺陷簇
机译:使用高注入表面光电压对经受高能(MEV)离子注入的半导体衬底进行无源光学表征的方法和设备
机译:离子注入可抑制退火的SiGe层中的缺陷
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