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徐至中;
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机译:通过液滴外延生长在GaAs(001)衬底上的无应变GaAs量子划线
机译:带有高应变GaInAs量子阱和MOAs生长在GaAs衬底上的GaAsP补偿层的1220 nm处发射的二极管激光器
机译:金属有机分子束外延生长在GaAs(001)衬底上的CdO层的结构特性
机译:通过分子束外延在GaAs(001)衬底上生长在GaAs(001)底物上生长的碳掺杂立方GaN癫痫碳的光学性质
机译:通过分子束外延生长在非平面图案化砷化镓(001)衬底上进行无应变和应变半导体纳米结构的制造。
机译:富GaAs(001)-4×6和As富GaAs(001)-2×4表面上三甲基铝原子层沉积的原子-原子相互作用:同步辐射辐射光发射研究
机译:评论“使用Si +离子预注入到Si衬底上以增强GexSi1-x变质缓冲层的应变弛豫,以便在Si衬底上生长Ge层” Appl Phys Lett 90,083507(2007)
机译:分子束外延生长在Gaas衬底上的(Inas)m(Gaas)n短周期超晶格层的研究
机译:在Si(111)/(001)SOI衬底或Si(001)/(111)SOI衬底上连续生长GaN和GaAs表象层的方法以及使用在Si(111)上连续形成的GaN和GaAs表象层的半导体发光器件模块)/(001)由此制造的SOI基板
机译:具有量子阱-势垒层界面结构的GaAs衬底上的应变层InGaAs量子阱半导体激光器
机译:具有InGaAs压缩应变有源层,GaAsP拉伸应变阻挡层和InGaP光波导层的半导体激光器件
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