n—Hg0.80Mg0.20Te界面积累层中二维电子气的输运特性研究

摘要

通过变磁场霍耳测量研究了ＭＢＥ生长的Ｈｇ０．８０Ｍｇ０．２０Ｔｅ薄膜在１．５－２５０Ｋ温度范围内的输运特性，采用迁移率谱（ＭＳ）和多载流子拟合过程（ＭＣＦ）结构合的地实验数据进行了分析，由该方法获得的结果和Ｓｈｒｂｎｉｋｏｖｄｅ Ｈａｓｓ（ＳｄＨ）振荡测量的结果都证明了材料中存在二维（２Ｄ）电子和三维（３Ｄ）电子。其中２Ｄ电子主要来自于Ｈｇ１－ｘＭｇｘＴｅ－ＣｄＴｅ的界面累层或Ｈｇ１－ｘＭｇｘ－Ｔ