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张兴宏; 夏冠群; 徐元森; 徐波; 杨玉芬; 王占国;
中国科学院上海冶金研究所半导体材料与器件研究室;
中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室;
HEMT; 结构材料; 晶体管; 电子迁移率; 二维电子气;
机译:AlGaN / GaN异质结构中二维电子气的电输运性质的理论研究
机译:BexZn1-xO / ZnO异质结构中二维电子气的电子输运性质
机译:Al含量对GaN / AlxGa1-xN / GaN异质结构中二维电子气输运性质的影响
机译:Al_xGa_(1-x)N / GaN异质结构中二维电子气的输运性质
机译:多壁碳纳米管-环氧树脂复合材料的微波吸收研究以及磷化硼(bp)的电子,输运和结构性质的从头算
机译:用于自旋电子学的核壳结构Fe3O4 / ZnS纳米复合材料的自旋依赖性输运性质研究
机译:Hg1-xCdxTe双晶体反转层中二维电子气的磁输运特性和子带结构
机译:mOCVD在sI 4H-siC上生长的调制掺杂alxGa1-xN / GaN结构中二维电子气的光致发光研究
机译:应用横向磁场测量MOSC-HEMT和AMOSFET中二维电子气的方法和装置
机译:使用离子注入通过灰度掩模在III型氮化物HEMT器件中二维电子气电荷密度的不均匀横向轮廓
机译:离子注入通过灰色鳞片在III型氮化物HEMT设备中二维电子气体电荷密度的非均匀横向分布
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