InAs量子点引入应力对调制掺杂结构中二维电子气输运特性的影响

摘要

系统研究了在调制掺杂AlGaAs/GaAs异质结中嵌入InAs量子点后对二维电子气输运特性的影响.使用分子束外延设备生长了量子点层与二维电子气沟道距离(Tch)不同的3个样品,霍尔测试结果表明,二维电子气的电子迁移率和载流子浓度都随Tch的减小而降低.基于几何相位分析算法对部分样品的高分辨透射电镜图像进行了处理,得到了其应变分布图.结果表明,应变主要分布在量子点的周围,并延伸到了量子点的上方.该不均匀的应力场可能是除库伦散射外影响电子迁移率降低的另一个重要因素.