铁磁性锰氧化物掺杂的ZnO压敏电阻性能研究

摘要

利用通常的电子陶瓷制备工艺制备了铁磁性锰氧化物La0.7Sr0.3MnO3掺杂的ZnO陶瓷.晶界处存在La0.7Sr0.3MnO3(LSMO)和LaMnO3(LMO)两种杂相.样品中绝缘相LM0的含量显著影响着样品的电学性能.掺杂后的样品仍具有一定的铁磁性.在样品上施加磁场后,样品电阻值增加,表现为正磁电阻性质.正磁电阻的出现,是由于磁场的存在增加了晶界处势垒的高度造成的.结果表明磁场可以改变多晶陶瓷样品中晶界处势垒的性质,从而改变样品的电输运特性.