摘要：通过Sb2O3、SiO2和MgO掺杂,采用传统工艺制备出具有高电位梯度的ZnO压敏陶瓷材料,研究了Sb2O3、SiO2和MgO掺杂量对ZnO压敏陶瓷的微观结构和电学性能的影响.实验结果表明:Sb2O3掺杂有助于提高样品的电位梯度,Sb2O3掺杂量较大时,会导致漏电流的增大及非线性系数的降低.掺杂Si O2不仅可进一步提高材料压敏电压梯度,而且可以改善其非线性特性.MgO掺杂可进一步提高材料压敏电压梯度.当Sb2O3、SiO2和MgO掺杂量分别为2.8mol％,0.3mol％和0.2mol％时,获得的材料压敏电压梯度、非线性系数和漏电流分别为470V/mm、89和0.12μA,8/20μs电流波通流容量达到2.7KA/cm2,该材料有望用于制作GIS避雷器阀片.
