不含氧化铬和氧化硅高性能ZnO压敏电阻的制备方法及ZnO压敏电阻

摘要

本发明涉及一种不含氧化铬和氧化硅高性能ZnO压敏电阻及其制备方法，其目的是解决现有ZnO压敏电阻电位梯度较低，在高浪涌冲击下通流能力弱，且二者不能同时提高的技术问题。由于氧化铬和氧化硅的价格均高于氧化锌，本发明去除了ZnO压敏电阻原料中的氧化铬和氧化硅，并寻找到了一个无氧化铬和氧化硅掺杂的原料配比以降低生产成本，通过减少组分和设置特定含量的方式，实现了电位梯度和通流能力的同时提高，所制备的无氧化铬和氧化硅掺杂的ZnO压敏电阻，稳定性较好，电位梯度提高到了220～240V/mm，10kA 8/20μs雷电波残压比范围为1.75～1.80，方波和4/10大电流通流能力强，还可通过重复转移电荷0.5C测试，能量吸收参数达到280～300J/cm3，可以满足更多场合的应用要求。