Carleton University (Canada).;
Gallium nitride; High electron mobility transistors; Metal oxide semiconductors; Monolithic integration; Silicon substrates;
机译:减少在硅上生长的AlGaN / GaN异质结构的热预算:迈向GaN-HEMT与CMOS单片集成的一步
机译:开发用于氨-MBE生长的GaN-HEMT与硅CMOS的单片集成的技术构建块
机译:E / D模式GaN MIS-HEMT在Si衬底上超薄势垒AlGaN / GaN异质结构上的单片集成
机译:GaN HEMT和Si CMOS在硅衬底上直接单片异构集成实现了高性能混合信号和RF电路
机译:氮化铝镓/氮化镓HEMT与CMOS在硅(111)衬底上的整体集成的热分析。
机译:0.1μmAlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的改进大信号模型及其在W波段实用单片微波集成电路(MMIC)设计中的应用
机译:GaN Hemt与硅MOS技术的单片集成