Colorado State University.;
Amplifiers; Chip; Electron; Gallium; Mobility; Nitride; Packaging; Performance; Power; Radio; Thermomechanical; Transistors;
机译:质子辐照对碳化硅高电子迁移率晶体管基射频功率功率放大器的无缓冲氮化镓
机译:通过测量和技术-计算机辅助设计仿真研究金属-绝缘体-半导体场效应晶体管和高电子迁移率晶体管的氮化镓/氮化镓铝/氮化镓高压晶体管中的表面电荷和陷阱
机译:芯片级封装氮化镓晶体管的热评估
机译:芯片鳞片包装氮化镓晶体管的热评价
机译:使用等效电路模型在高功率,高频微波放大器中使用等效电路模型对氮化镓高电子迁移率晶体管的可靠性研究
机译:具有厚铜金属化特性的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管用于Ka波段应用的功率密度为8.2 W / mm
机译:氮化铝镓/氮化镓高电子迁移率晶体管的制备与表征
机译:用于射频(RF)功率和增益优化的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEmT)的物理分析