University of California, Riverside.;
机译:GaN纳米线场效应晶体管和带间隧穿场效应晶体管的建模与性能分析
机译:使用硅纳米线金属氧化物半导体场效应晶体管的具有可调势垒的单电子隧穿晶体管
机译:基于p-i-n二极管的压缩应变SiGe带间隧穿模型校准及应变SiGe隧穿场效应晶体管的前景
机译:InP / InGaAs核/壳纳米线隧道二极管,用于径向隧道场效应晶体管和多结太阳能电池应用
机译:用于隧道场晶体管的半导体纳米线的制造与表征。
机译:核-壳同质结硅垂直纳米线隧穿场效应晶体管
机译:基于p-i-n二极管的压缩应变SiGe带间隧穿模型校准及应变SiGe隧穿场效应晶体管的前景