自由基等离子体刻蚀硅基光学元件特性研究

目录

摘要

1绪论

1．1研究背景与意义

1．2国内外研究现状

1．2．1国外研究现状

1．2．2国内研究现状

1．3等离子光学加工技术

1．4本文研究内容

2自由基等离子体刻蚀原理、实验平台及相关测试技术

2．1自由基等离子体产生装置

2．2自由基等离子体刻蚀硅基光学元件原理

2．3 RPS-350型自由基等离子刻蚀抛光系统简介

2．4光学元件表面评价标准及仪器

2．4．1光学元件表面评价标准

2．4．2光学元件表面评价测量仪器

3自由基等离子体刻蚀基础工艺研究

3．1自由基等离子体设备工作参数的影响

3．1．1微波功率对刻蚀特性的影响

3．1．2工作气压对刻蚀特性的影响

3．2工作气体成分对刻蚀特性的影响

3．2．1 CF4与O2流量比对刻蚀特性的影响

3．2．2惰性气体对刻蚀特性的影响

3．3负偏压对刻蚀效果的影响

3．3．1射频负偏压

3．3．2直流负偏压

3．4本章小结

4自由基等离子体刻蚀单晶硅特性探究

4．1自由基等离子体刻蚀硅的最佳工艺参数

4．1．1正交试验

4．1．2验证试验

4．2自由基等离子体刻蚀单晶硅均匀性和稳定性研究

4．2．1刻蚀均匀性研究

4．2．2刻蚀稳定性研究

4．3硅刻蚀过程中的各向异性研究

4．4本章小结

5自由基等离子体刻蚀熔石英特性研究

5．1自由基等离子体刻蚀熔石英的最佳工艺参数

5．1．1正交试验

5．1．2验证试验

5．2熔石英亚表面损伤与刻蚀过程的几何模型

5．3刻蚀熔石英亚表面损伤研究

5．3．1HF酸腐蚀法去除熔石英表面损伤层

5．3．2自由基等离子体刻蚀法去除熔石英亚表面损伤层

5．4本章小结

6结论与展望

6．1结论

6．2展望

参考文献

攻读硕士学位期间发表的论文及成果

致谢

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