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2.2 NBTI效应理论模型
2.2.3 Tsetseris模型
武占伟;
西安电子科技大学;
机译:晕植入物在控制纳米Ge沟道pMOSFET的短沟道效应中的研究
机译:SiGe PMOSFET和Si PMOSFET中MOS反转层量子力学效应的仿真和比较
机译:利用AL_2O_3对高性能逻辑装置和电气/热共同设计来改进GE垂直堆叠GAA纳米线PMOSFET的自热效应
机译:基于包括应变效应在内的原子量子传输模拟,对Lg = 13 nm的Si,InAs,GaAs和Ge纳米线n和pMOSFET的CMOS性能进行基准测试
机译:砷对二氧化钛纳米颗粒和纳米复合材料的吸附:等温线,动力学,光氧化和单个金属效应的研究。
机译:在没有完整数据集的情况下风险确定的意义如何?有理由发表标准化的测试指南和无效应研究以评估纳米颗粒的安全性与单项调查研究得出的虚假高效应结果
机译:考虑量子运输和载波散射效应的CMOS性能指标的全面的N和PMOSFET信道材料基准和分析
机译:al2O3 / Gasb界面和高迁移率Gasb pmOsFET的优化
机译:低功率,P通道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)SRAM单元
机译:低功耗p沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)SRAM单元
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