机译:考虑量子运输和载波散射效应的CMOS性能指标的全面的N和PMOSFET信道材料基准和分析
机译:载流子增强型通道CMOS,可改善功耗和性能
机译:双轴压缩应变$ hbox {Si} _ {0.5} hbox {Ge} _ {0.5} $沿$ langle hbox {110} rangle $和$的量子阱pMOSFET的状态性能增强和与通道方向相关的性能langle hbox {100} rangle $频道方向
机译:使用高迁移率通道的先进CMOS的器件结构和载流子传输特性
机译:基于包括应变效应在内的原子量子传输模拟,对Lg = 13 nm的Si,InAs,GaAs和Ge纳米线n和pMOSFET的CMOS性能进行基准测试
机译:全面的电容电压分析,包括锗和其他替代沟道材料上高k界面的量子效应。
机译:平衡量子点中的电荷载流子传输PN结朝向无磁滞高性能太阳能细胞
机译:不同渠道绩效指标对新兴市场经济波动市场份额的影响分析
机译:半导体测量技术:用于测量CmOs / sOs工艺性能和控制的综合测试模式的设计,测试和分析