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宋芳芳; 解江; 李斌; 章晓文;
华南理工大学电子与信息学院微电子研究所;
工业和信息化部电子第五研究所;
PMOS; 动态NBTI; 可靠性; 恢复效应;
机译:累积模式Pi栅极pMOSFET中的NBTI和热载流子效应
机译:负偏置温度不稳定性(NBTI)和热载流子在超深亚微米p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)中的作用
机译:pMOSFET中NBTI和沟道热载流子效应的组合效应
机译:具有氧氮化物栅极电介质的p + -poly PMOSFET中的热孔退化和负偏压温度不稳定性(NBTI)增强。
机译:栅堆叠结构和工艺缺陷对32 nm工艺节点PMOSFET中NBTI可靠性的高k介电依赖性的影响
机译:Ge pMOSFET的AC NBTI:能量交替缺陷对寿命预测的影响
机译:核磁共振和化学诱导动态核极化研究DNa和RNa结构扰动的动态和构象效应
机译:用于监视NBTI(负偏置温度不稳定性)效应和/或PBTI(正偏置温度不稳定性)效应的电路和设计结构
机译:监视NBTI(负偏置温度不稳定性)效应和/或PBTI(正偏置温度不稳定性)效应的电路和设计结构
机译:低功率,P通道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)SRAM单元
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