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第四章 HEMT器件直流参数提取方法研究
5.3 各异性对InN耿氏二极管的影响
7.1 本章研究背景
常永明;
西安电子科技大学;
机译:使用额外的2-D空穴气体的GaN基2-D电子气器件中的电荷平衡及其对GaN基异质结构场效应晶体管动态行为的影响
机译:迄今为止,GaN(氮化镓)GaN功率器件的吸引力在于:GaN功率器件的潜力,器件的功能以及实现收益的专有技术
机译:用于GaN基光电器件的双AlGaN / GaN分布式布拉格反射器堆叠镜的设计与制造
机译:GaN基功率器件结构中的空位型缺陷-离子注入GaN和Al中的缺陷表征
机译:GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征= GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征
机译:Al2O3 / GaN MOS器件深耗尽区中通过电导方法研究体陷阱
机译:p-GaN退火对GaN基LED晶圆和器件性能的影响
机译:GaN功率电子器件:从GaN-on-si横向晶体管到GaN-on-GaN垂直晶体管和GaN CmOs IC。
机译:GaN基半导体发光器件,发光器件组件,发光器件,用于制造GaN基半导体发光器件的方法,用于GaN基半导体发光器件的驱动方法和图像显示装置
机译:GaN基半导体光学器件,GaN基半导体光学器件的制造方法,外延晶片的生长方法和GaN基半导体膜
机译:外延生长衬底,GaN基半导体层的制造方法,GaN基半导体层,发光器件的GaN基半导体制造方法和GaN基半导体发光元件
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