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3.3 InAlN/GaN 异质结肖特基二极管的导电机制
4.2.2 器件制备工艺流程及器件结构
参考文献
强伟婷;
西安电子科技大学;
机译:AlGaN / GaN与晶格匹配的InAlN / GaN异质结构肖特基势垒二极管的电特性比较
机译:InAlN / GaN和InAlN / AlGaN / GaN异质结FET的电学特性对AlN层间厚度的依赖性
机译:GaN带间激励引起的金属-AlGaN / GaN异质结肖特基二极管的光电流特性
机译:6英寸SOI衬底对Inaln / GaN肖特基势垒二极管(SBD)的研究
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:双异质结硅衬底上AlGaN / GaN肖特基势垒二极管的理论和实验研究
机译:硅(111)基质上的Algan / gan和Inaln / GAN二极管和高迁移率晶体管的CMOS相容氧化钌肖特基接触的研究
机译:在背景限制条件下p-N结二极管和肖特基内部光电二极管的检测率比较
机译:Inaln AlGaN Si GaN低薄层电阻GaN通道在Si基板上使用Inaln和AlGan Bi-Lay封盖堆叠
机译:异质结二极管,一种制造异质结二极管的方法和一种包括异质结二极管的电子设备
机译:门控AlGaN / GaN异质结肖特基器件
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