声明
1 绪论
1.1 静电的概念
1.2 静电放电对集成电路的危害
1.3 ESD防护国内外发展与现状
1.4 TCAD仿真工具
1.5 论文的结构安排
2 ESD防护理论与研究目标
2.1 ESD放电模型
2.1.1 人体模型（HBM）
2.1.2 机器模型（MM）
2.1.3 器件充电模型（CDM）
2.2 ESD测试方法
2.2.1 HBM和 MM模型测试
2.2.2 CDM模型测试
2.2.3 传输线脉冲（TLP）测试
2.3 ESD失效机理
2.4 ESD防护设计方案
2.4.1 ESD设计窗口
2.4.2 器件级 ESD防护特性
2.4.3 电路级 ESD防护方案
2.5 研究对象与目标
2.6 小结
3 传统ESD防护器件特性分析与对比
3.1 二极管
3.2 MOSFET
3.2.1 GGNMOS的工作原理
3.3 SCR
3.3.1 SCR的工作原理
3.4 器件的防护特性对比
3.4.1 二极管防护特性
3.4.2 GGNMOS防护特性
3.4.3 SCR防护特性
3.5 小结
4 SCR结构设计与优化
4.1 SCR 防护所存在的问题
4.2 SCR 触发电压的优化方法
4.2.1 MLSCR
4.2.2 LVTSCR
4.3 SCR 维持电压的优化思路
4.4 新型 EPM-LVTSCR 器件
4.4.1 EPM-LVTSCR设计构思
4.4.2 EPM-LVTSCR器件结构与工作原理
4.4.3 EPM-LVTSCR仿真测试结果
4.4.4 EPM-LVTSCR机理分析
4.4.5 EPM-LVTSCR关键尺寸参数调节与分析
4.4.6 二次击穿电流特性
4.5 小结
5 DDSCR 结构设计与优化
5.1 传统 DDSCR 结构特点分析
5.2 DDSCR防护缺陷
5.3 低触发电压 DDSCR结构
5.4 新型 MHVDDSCR 器件
5.4.1 MHVDDSCR设计构思
5.4.2 MHVDDSCR结构与工作机理
5.4.3 MHVDDSCR仿真测试结果
5.4.4 MHVDDSCR机理验证与分析
5.4.5 MHVDDSCR参数调节
5.5 小结
6 结论与展望
6.1 全文总结
6.2 不足与展望
参考文献
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果
致谢
郑州大学;
