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顾晓峰; 彭宏伟; 梁海莲; 董树荣; 刘湖云;
江南大学物联网技术应用教育部工程研究中心;
江苏无锡214122;
浙江大学微电子与光电子研究所;
浙江杭州310027;
静电放电; 双向可控硅; 触发电压; 开启速度; 漏电流;
机译:辐射和温度影响对用于片上ESD保护的双向SCR器件的影响
机译:用于0.5μmCMOS工艺中ESD保护的深阱栅极控制双向SCR器件的优化
机译:先进的28/32 nm技术节点中基于双向SCR网络的紧凑型ESD器件Beta-Matrix解决方案
机译:横向BJT,SCR和双向ESD防护能力的比较。 SCR,用于高压BiCMOS电路
机译:新型基于硅的可控整流器(SCR)的器件的设计,表征和紧凑模型,用于集成电路中的静电放电(ESD)保护应用。
机译:具有嵌入式PMOSFET的鲁棒和锁定的免疫LVTSCR器件用于28 nm CMOS过程中的ESD保护
机译:基于SCR的双向ESD保护电路的电气特性研究根据设计参数的变化
机译:Descripciónofequipo,con recintos blindados,paraelanálisisespectrográficodesolucionesderadioisótopos
机译:具有双向数字NMOS的双向SCR结构的ESD保护器件
机译:正触击SCR,负触击SCR和利用正触击SCR和负触击SCR的双向ESD结构
机译:双向背对背堆叠式SCR,用于高压引脚ESD保护,制造方法和设计结构
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