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公开/公告号CN110190052B
专利类型发明专利
公开/公告日2022-01-25
原文格式PDF
申请/专利权人 电子科技大学;
申请/专利号CN201910480240.9
发明设计人 刘志伟;董小雨;刘继芝;
申请日2019-06-04
分类号H01L27/02(20060101);
代理机构51203 电子科技大学专利中心;
代理人甘茂
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
入库时间 2022-08-23 13:02:26
机译: 快速紧凑的SCR ESD保护器件,用于高速引脚
机译: CMOS IC中的ESD总线用于全芯片ESD保护
机译: 一种用于产生具有氧化作用的沟槽结构的方法,一种用于制造集成半导体电路装置或芯片的方法,一种用于制造半导体元件的方法以及一种利用该方法的半导体集成电路器件,芯片,一种半导体器件的制造方法
机译:用于全芯片ESD保护的高保持电压SCR的设计
机译:先进的28/32 nm技术节点中基于双向SCR网络的紧凑型ESD器件Beta-Matrix解决方案
机译:在0.13 / 0.18 / 0.35um工艺技术中基于SCR的ESD保护器件(PTSCR)的电气特性分析
机译:紧凑型和复合SCR结构,用于全芯片ESD保护
机译:新型基于硅的可控整流器(SCR)的器件的设计,表征和紧凑模型,用于集成电路中的静电放电(ESD)保护应用。
机译:具有嵌入式PMOSFET的鲁棒和锁定的免疫LVTSCR器件用于28 nm CMOS过程中的ESD保护
机译:用于全玻璃芯片上微流体泵送的单平方毫米紧凑型空心结构
机译:两端和三端微波器件检测射频调制光信号。