机译:紧凑的LDMOS DDSCR,用于HV ESD保护,具有高鲁棒性和可靠性
Hunan Univ Sch Phys & Elect Changsha 410081 Hunan Peoples R China;
Hunan Normal Univ Sch Phys & Elect Changsha 410081 Hunan Peoples R China;
Dual-direction SCR (DDSCR); Trigger voltage; Failure current; Electrostatic discharge (ESD);
机译:LDMOS-SCR:具有高ESD自保护能力的LDMOS的替代品,适用于高压应用
机译:LDMOS和LDMOS-SCR ESD保护器件可靠性下降行为的比较研究
机译:漏极侧具有不同嵌入式SCR结构的HV NLDMOS的ESD可靠性影响
机译:用MOS-路径嵌入栅极控制DDSCR的分析与仿真,用于HV ESD保护中可调保持电压
机译:新型基于硅的可控整流器(SCR)的器件的设计,表征和紧凑模型,用于集成电路中的静电放电(ESD)保护应用。
机译:具有嵌入式PMOSFET的鲁棒和锁定的免疫LVTSCR器件用于28 nm CMOS过程中的ESD保护
机译:用于HV NLDMOSS的漏极电极嵌入式水平肖特基元素的ESD设计和分析