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仇名强;
安徽大学;
嵌入式静态随机存储器; 架构设计; 复制位线技术; 灵敏放大器; 译码电路;
机译:用于地面环境的65nm CMOS 6T和8T SRAM单元的单个事件UPSET表征
机译:具有最小尺寸晶体管的65nm可靠6T CMOS SRAM单元
机译:45nm,65nm,90nm技术中SRAM单元的比较分析
机译:具有25F2 0.16 / spl mu / m / sup 2 / S / sup 3 /(堆叠的单晶硅)SRAM单元和堆叠外围SSTFT的65nm高性能SRAM技术,适用于超高密度和高速应用
机译:采用高可变性先进CMOS技术的低功耗高性能SRAM设计
机译:使用基于SRAM的FPGA进行功率感知的高性能无线传感器网络
机译:具有3.1E-10的基于SRAM的SRAM基于SRAM的PUF和65nm中的21个FJ /位的能量
机译:基于商用sRams中mOsFET阵列的阈值偏移的剂量测量
机译:SRAM阵列,SRAM单元,微处理器,方法和SRAM存储器(包含逻辑部分的SRAM存储器和微处理器在高性能硅基板和SRAM阵列部分上实现,其中包括场效应晶体管具有链接的主体和方法)
机译:通过任何位解码为动态SRAM电路实现单位冗余
机译:SRAM内核阵列动态电源的电路实现
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