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贾柱良; 杜明; 兰韬; 裴国旭;
深圳市国微电子股份有限公司,广东 深圳 518057;
SRAM; 全定制; 版图; 高速;
机译:65nm SoC嵌入式6T-SRAM,设计用于具有读写操作稳定电路的可制造性
机译:用于超低压操作的256kb 65nm亚阈值SRAM设计
机译:具有25F2 0.16 / spl mu / m / sup 2 / S / sup 3 /(堆叠的单晶硅)SRAM单元和堆叠外围SSTFT的65nm高性能SRAM技术,适用于超高密度和高速应用
机译:静态随机存取存储器(SRAM)的定制ASIC设计。
机译:高速熔剂:用于多倍体中全基因克隆的自动同源物特异性底漆设计
机译:具有3.1E-10的基于SRAM的SRAM基于SRAM的PUF和65nm中的21个FJ /位的能量
机译:基于单事件翻转发生率的基于sRam的FpGa设计中的容错实现
机译:基于SOI技术的基于无结晶体管的6-T SRAM单元的布局设计
机译:全定制与电压有关的设计规则(VDRC)流程
机译:在CMOS全定制LSI中设计电迁移可靠验证装置
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