机译:具有25F2 0.16 / spl mu / m / sup 2 / S / sup 3 /(堆叠的单晶硅)SRAM单元和堆叠外围SSTFT的65nm高性能SRAM技术,适用于超高密度和高速应用
SRAM chips; cache storage; cobalt; elemental semiconductors; silicon; thin film transistors; 288 MByte; 65 nm; Co; SRAM technology; Si; cache memory products; cell transistors; network memory products; peripheral transistors; silicidation techniques; single-crystal sili;
机译:使用单晶硅薄膜晶体管(SSTFT)SRAM单元的256Mb同步突发DDR SRAM
机译:采用0.35 / spl mu / m高密度BiCMOS SRAM技术的规模化,高性能(4.5 fJ)双极器件
机译:用于高密度SRAM的堆叠CMOS单元技术
机译:65NM高性能SRAM技术,具有25F2 0.16 / SPL MU / M / SUP 2 / S / SUP 3 /(堆叠单晶SI)SRAM CELL,以及用于超高密度和高速应用的堆叠外设SSTFT
机译:在16NM技术中使用FinFET和CMOS的8T SRAM单元的设计与性能评估
机译:采用80nm双堆叠单元技术的片上传感器的自主sRam