...
机译:使用单晶硅薄膜晶体管(SSTFT)SRAM单元的256Mb同步突发DDR SRAM
机译:使用单晶硅薄膜晶体管(SSTFT)SRAM单元的256Mb同步突发DDR SRAM
机译:在实际TFT SRAM工艺中对多晶硅薄膜晶体管的特性进行快速热退火
机译:具有PMOS薄膜晶体管称重传感器的4Mb CMOS SRAM
机译:具有革命性且真正意义上的3维25F / sup 2 / SRAM技术,具有最小的S / sup 3 /(堆叠式单晶硅)单元,0.16um / sup 2 /和SSTFT(无锁单晶薄膜晶体管),用于超高密度SRAM
机译:在非晶衬底和用于3D集成电路的高性能亚100 nm薄膜晶体管上的纳米图形引导的单晶硅生长。
机译:功耗优化的变化感知双阈值SRAM单元设计技术
机译:单层晶体管SRAM