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Implementing single bit redundancy for dynamic SRAM circuit with any bit decode

机译:通过任何位解码为动态SRAM电路实现单位冗余

摘要

A method and a dynamic Static Random Access Memory (SRAM) circuit for implementing single bit redundancy with any bit decode, and a design structure on which the subject circuit resides are provided. The SRAM circuit includes a plurality of bitline columns and a pair of redundancy columns respectively coupled to a respective merged bit column select and redundancy steering multiplexer. Each merged bit column select and redundancy steering multiplexer receives a respective select signal input. A select signal generation circuit receives a redundancy steering signal and a respective one-hot bit select signal, generating the respective select signal input.
机译:提供一种用于利用任何位解码来实现单位冗余的方法和动态静态随机存取存储器(SRAM)电路,以及本发明电路所驻留的设计结构。 SRAM电路包括多个位线列和一对冗余列,分别耦合到各自的合并的位列选择和冗余控制多路复用器。每个合并的位列选择和冗余控制多路复用器接收相应的选择信号输入。选择信号产生电路接收冗余控制信号和相应的一个热比特选择信号,以产生相应的选择信号输入。

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