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王昌强;
南京邮电大学;
低电压; SRAM; 内建自测试; 算法研究;
机译:瑞萨同时实现了641皮秒的高速操作,使用最先进的16NMFINFET用于车载信息设备的低电压条件,用于开发SRAM的低电压条件
机译:使用单电源的降低电压摆幅电路,以实现基于SRAM的存储器的较低电压操作
机译:通过电路和装置装置实现超低电压操作SRAM,使用不对称MOSFET和前体偏置技术的开发0.5V 100 MHz PD-SOI SRAM。
机译:利用超低电压SRAM的统计方法,利用统计方法进行47%的访问时间减少,利用超低电压SRAM的统计方法
机译:低功耗和工艺变化感知型SRAM和Cache在SRAM电路,架构和组织中的设计容错能力。
机译:一种用于提高电感接近传感器测量精度的非线性温度补偿模型及其专用集成电路实现
机译:用于28nm 3D CoolCubetm技术的超低电压操作的节能4T基于SRAM位点
机译:基于商用sRams中mOsFET阵列的阈值偏移的剂量测量
机译:通过防止低电压下的局部位线的感测误差来感测和放大低电压SRAM和寄存器文件的方法
机译:通过任何位解码为动态SRAM电路实现单位冗余
机译:SRAM内核阵列动态电源的电路实现
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